缓冲层

1500V:GaN功率器件突破电压极限的关键是什么?

横向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)目前在中低功率转换应用中呈现出强劲的增长态势。要将这种材料体系拓展到更高电压等级,必须在器件结构设计与衬底技术上进行创新。本文总结了台湾研究团队在开发1500V击穿电压GaN HEMT器件方面的相关研究成果,该器件基于工

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从性能到安全!领克07 EM-P用硬核拆解定义新豪华电混

在当下的消费环境中,普通家庭选购汽车仍然需要经历慎重的决策过程。消费者往往需要花费数周甚至数月时间,在多家4S店实地考察、反复比较参数配置、多方求证使用体验。这种谨慎态度源自汽车作为大宗商品的属性,也反映出市场对产品真实品质的渴求。在这样的背景下,领克07 E

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